多晶硅铸锭炉清浦控制屏的具有自主知识产权。生产的单晶硅生长炉（TDR85/95/105-JN）TDR—JN系列全自动晶体生长炉具有自主知识产权，是采用直拉法生长P型或N型单晶硅材料的专用设备。装料量从95Kg～150Kg，可拉制6"～12"电路级和太阳能级单晶硅棒。4.5二次回路通电或耐压试验前，应通知值班员和有关人员，并派人看守现场，检查回路，确认无人工作后方可加压。

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慢慢向上拉籽晶，晶体便会在籽晶下端生长，接着，控制籽晶生长出一段长为100mm左右，直径为3～5mm的细颈，用于高温溶液对籽晶的强烈热冲击而产生的原子排列的位错，这个过程是引晶。通过石墨加热器产生的高温将其熔化，然后，对熔化的硅液稍降温，使之产生一定的过冷度，再用一根固定在籽晶轴上的硅单晶体（称作籽晶）插入熔体表面。把高纯度的多晶硅原料放入高纯石英坩埚单晶硅生长炉的原理简介/我有更好的/首先待籽晶与熔体熔和后随后生长出一定直径规格大小的单晶柱体。用直拉法生长单晶的设备和工艺比较简单，容易实现自动控制，生产效率高。直拉法易于大直径单晶，容易控制单晶中杂质浓度，可以低电阻率单晶。据统计。由以上可知，在目前的生产条件下，挥发物的产生是不可避免的，如何减轻挥发物带来的不利影响，如何提升自动化控制水平，是本发明尝试要解决的问题。本发明拟一种蓝宝石单晶炉，包括设有炉盖11的炉体1、上覆坩埚盖2的坩埚3、加热器4、上反射屏5、侧反射屏6、下反射屏7和籽晶杆8，所述坩埚盖2上覆保温屏9，所述上反射屏5与保温屏9之间设有两个加热片10，所述两个加热片(10)在籽晶杆(8)两边左右对称设置，所述炉盖11设有真空部件12。