二手蓝宝石长晶炉宿迁涡轮分子泵的厂家以人工方式在单晶炉前将固态多晶硅料一块块地从炉体外转移到石英坩埚内，再进行合炉，真空检漏[1]。整个过程非常缓慢，而且装料过程中要避免硅料碎屑落入热场内。传统装料方法为炉前装料离线装料技术在直拉法硅单晶生产中的应用\引言直拉法(CZ)生产单晶硅是目前单晶硅的主要方法。在单晶生产过程中装料时间(清炉结束到合炉)约为2h追求低成本和率成为每一个企业市场的逐胜之道。其中具有较强的实用性和经济推广价值。1离线装料的工作原理使用一个真空吸盘和一个特制的密封圈与装满多晶硅原生料的石英坩埚密封。新型热屏不仅起到导流筒的作用，了氩气流场，使单晶氧含量下降，而且热屏解决了大直径单晶生长中结晶潜热难以散发的问题，提高了拉晶速率，降低了生产成本。矿山用一字钎头和梅花钎头的焊接， 4，直径30以下螺栓的热变形， 5，直径30以下的螺母的热变形， 6，金属粉末重熔， 7，直径300以下链轮的热， 8。
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晶体尺寸大，晶体质量好，易实现自动控制，因此获得了广泛的应用。而此方法生产高质量单晶的主要因素取决于单晶提拉过程的平稳性，因此提拉系统良好的平稳性是提高单晶炉设备性能和生产效率的关键。以良好的平稳性为目标，本文对单晶炉提拉系统进行了系统平衡方面的研究。本文首先介绍了单晶炉提拉系统的能，结构特点以及工作原理，讨论了单晶炉提拉系统静平衡与动平衡的原理和方法，分析。用此方法单晶生长速度高单晶炉晶体提拉系统平衡研究\提拉法单晶炉是晶体生长设备中重要的产品系列之一研究了提拉系统完全平衡的条件三维软件UG建模计算和该设备“以动测静”法的平衡实验。电源频率：50HZ3，电源相数：3相3线制4，变压器容量：190KVA5，加热器大加热功率：160KW6，高加热温度：1600℃7。电源电压：380VAC±5%2提拉式单晶炉技术参数1加热器高加热电压：60V8。尤其是坩埚支持器下方的空间较大，导致坩埚支持器下方的混合气体不能及时排出，热能消耗量较大，另外，现有技术中，从氩气输入管向炉内充入氩气时，充气气压为1.3x103pa。在向单晶炉内不断充入氩气的同时，还必须用真空泵将混合气体排出炉外，在排气时，混合气体流经炉中的加热器，坩埚支持器等处，后经过炉下端的排气口排出。并与炉内生成的一氧化硅及杂质粉尘混合，由于单晶炉内的加热器和坩埚支持器等均由石墨制成，一氧化硅易腐蚀所述石墨制成的器件且杂质粉尘易吸附在这些器件上。
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用直拉法生长单晶的设备和工艺比较简单，容易实现自动控制，生产效率高，易于大直径单晶，容易控制单晶中杂质浓度，可以低电阻率单晶。据统计，上硅单晶的产量中70%～80%是用直拉法生产的。江南电力光伏科技有限。直拉法引进消化吸收国外技术研发环保清洁可再生新能源产品——太阳能光伏发电站和风力发电站的相关设备。其中硅单晶生长炉设备有两大系列三个品种。也叫切克劳斯基（J.Czochralski）方法。此法早在1917年由切克劳斯基建立的一种晶体生长方法。分子泵，真空泵，真空流量计，plc编程，控制屏，离子泵，涡轮分子泵，螺杆真空泵，涡旋高真空泵，依据相对编号法，查到该所连接的另外设备的端子，然后再查出该端子所连接另外设备，直到查到直流电源的正负极或交流回路的火线和中性线为止。后把整个相关的回路都查出来，画成图后可分析连接是否符合动作原理。当想弄清展图上设备的位置时，则一是利用展图上的设备表的位置，然后去相应的图上查对。二是先弄清展图中的端子符号，哪些是屏柜端子排的端子。则从图中每个的设备端子上所标的编号如手上只有图或者发现图与展图的原理接线图无法对应时哪些是（保护或自动）装置的端子，然后直接去可能的屏柜，端子箱中查找。(7) 识图特殊问题的解决方法。
