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根据权利要求2所述的直拉式单晶生长炉,其特征在于所述气流 导向装置(20)的中轴孔(2-1)与该炉的石墨中轴(21)活动密封连接。4, 根据权利要求2或3所述的直拉式单晶生长炉,其特征在于所述 气流导向装置(20 )的电极孔(2-2 )分别与该炉的电极柱(15 )密封连接。5, 根据权利要求4所述的直拉式单晶生长炉。
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b,如何弄清展图中的部分采用方框画法设备与外部其他部分的连接?先查清方框画法设备的端子编号,然后利用能展示该设备内部接线图的装置说明书或厂家图,在这些图纸中找到往外部连接的端子编号,再与内部回路连接起来,然后通过往外的连接的端子再与外部回路起来。直拉法,也叫切克劳斯基(J.Czochralski)方法。此法早在1917年由切克劳斯基建立的一种晶体生长方法,用直拉法生长单晶的设备和工艺比较简单,容易实现自动控制,生产效率高,易于大直径单晶,容易控制单晶中杂质浓度,可以低电阻率单晶。据统计,上硅单晶的产量中70%~80%是用直拉法生产的。